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BD684	文件：78.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 and BD683A. Compliance to RoHS 文件：78.15 Kbytes 页数：2 Pages	COMSET	COMSET
BD684	文件：72.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 and BD683A. Compliance to RoHS 文件：72.78 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD684	文件：188.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector–Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEO = -120V • DC Current Gain— : hFE = 750(Min) @ IC= -1.5 A • Complement to Type BD683 APPLICATIONS • Designed for audio and video output applications. 文件：188.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD684	文件：85.37 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD683 is NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complement is BD684. 文件：85.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD684	文件：123.32 Kbytes Page：4 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE EQUIVALENT TO MJE700, 702, 703. 文件：123.32 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD684	文件：198.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD683 and BD683A are NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complements are BD684 and BD684A. Compliance to RoHS 文件：198.68 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD684	文件：192.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：192.78 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD684	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 120V 4A 3-Pin TO-126	NJS 新泽西半导体	NJS
BD684	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset
BD684A	文件：72.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 and BD683A. Compliance to RoHS 文件：72.78 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET

晶体管资料

型号：
BD684
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262C,FC50CB,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Type：
PNP
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
750@1.5A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
120V
Maximum Collector Base Voltage：
120V
Configuration：
Single

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