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BD633	文件：246.21 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 45V(Min.) • Complement to Type BD634 APPLICATIONS • Designed for amplifier and switching applications. 文件：246.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD633	文件：124.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 45V(Min.) • Complement to Type BD634 APPLICATIONS • Designed for amplifier and switching applications. 文件：124.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD633	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 45V 2A	NJS	NJS
BL-HG633A	文件：445.96 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT CHIP LED LAMPS 文件：445.96 Kbytes 页数：1 Pages	YSTONE 早安股份	YSTONE
BL-HG633A	文件：538.93 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT CHIP LED LAMPS 文件：538.93 Kbytes 页数：1 Pages	YSTONE 早安股份	YSTONE
BL-HG633A-TRB	文件：250.35 Kbytes Page：6 Pages	SURFACE MOUNT CHIP LED LAMPS SPECIFICATION 文件：250.35 Kbytes 页数：6 Pages	BRIGHT 佰鸿	BRIGHT

晶体管资料

型号：
BD633
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD241,BD575,3DD158A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
999900
atest：
2
wtest：
30

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
45V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Type：
NPN

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