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BD645	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：105.89 Kbytes 页数：5 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD645	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：90.32 Kbytes 页数：4 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD645	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 文件：336.95 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
BD645	文件：74.47 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Darlington Transistors Eplbase power darlington transistors (62.5W) BD 643, BD 645, BD647, and BD649 are monolithic NPN Silicon epibase power darlington transistors with diode and resistors in a TO 220 AB plastic package (TOP-66). The collectors of the two transistors are electrically connected to the metallic mounting 文件：74.47 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD645	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：127.08 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD645	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：125.89 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD645	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：115.8 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD645	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in output stages in audio equipment ,general amplifier, and analogue switching applications 文件：116.15 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD645	文件：117.82 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：117.82 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD645	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：112.31 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET

晶体管资料

型号：
BD645
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD697,BD897,BDW73A,BDX33A,BDX53A,FD50B,
最大耗散功率：
62.5W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
10000100
atest：
8
wtest：
62.5

技术参数

封装：
VQFN048V7070
包装数量：
1500
最小独立包装数量：
1500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Power Supply Voltage (Max.) [V]：
45
Power Supply Voltage (Min.) [V]：
9
Iout (Max.)[A]：
2
Vcc (Max.)[V]：
50
Type：
Stepping
Usage：
IJP
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-25
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
7x7 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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