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BD645分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BD645
厂商型号

BD645

参数属性

BD645 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220

功能描述

NPN SILICON POWER DARLINGTONS
TRANS NPN DARL 60V 8A TO220

文件大小

90.32 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Bourns Inc.
企业简称

Bourns伯恩斯(邦士)

中文名称

伯恩斯(邦士)官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 11:14:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD645

  • 别名:

    BD645三极管、BD645晶体管、BD645晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD697,BD897,BDW73A,BDX33A,BDX53A,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    10000100

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD645规格书详情

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

● RoHS compliant*

● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652

● 62.5 W at 25°C Case Temperature

● 8 A Continuous Collector Current

● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A

BD645属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。伯恩斯(邦士)制造生产的BD645晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BD645-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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