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BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：114.77 Kbytes 页数：5 Pages | Bourns 伯恩斯 | Bourns | |
BD650 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 文件：369.32 Kbytes 页数：5 Pages | COMSET | COMSET | |
BD650 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO = -100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type BD649 APPLICATIONS ·Designed for use as complementary AF push-pull 文件：108.13 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：150.96 Kbytes 页数：6 Pages | POINN | POINN | |
BD650 | Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in output stages in audio equipment ,general amplifier, and analogue switching applications 文件：94.37 Kbytes 页数：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD650 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：125.89 Kbytes 页数：4 Pages | SIEMENS 西门子 | SIEMENS | |
BD650 | PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：127.08 Kbytes 页数：4 Pages | SIEMENS 西门子 | SIEMENS | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 AND BD651 • 62.5 W at 25°C Case Temperture • 8 A Continuous Collector Current • Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：452.78 Kbytes 页数：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
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BD650 | Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：125.1 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD702,BD902,BDW74C,BDX34C,BDX54C,FC50B,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
详细参数
- 型号：
BD650
- 功能描述：
达林顿晶体管 62.5W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ONSEMI/安森美 |
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