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BCP55T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BCP55T；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	丝印：BCP55T；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.32 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55T_SER	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55TA	文件：131.1 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 Features • BVCEO > 45V, 60V & 80V • IC = 1A High Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：131.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
BCP55T
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	BCP55T	NEXPERIA/安世	20+	SOT-223	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多BCP55T供应商更新时间2025-9-21 14:00:00

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