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BCP55T

文件：274.26 Kbytes

Page：14 Pages

Marking：BCP55T；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

  • 型号：

    BCP55T

  • 功能描述：

    两极晶体管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO：

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT：

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装/箱体：

    PowerFLAT 2 x 2

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