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BCP69/16	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	型号：BCP69-16；Package：SC-73；20 V, 2 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69/16	文件：261.45 Kbytes Page：13 Pages	型号：BCP69-16-Q；Package：SOT223；20 V, 2 A PNP medium power transistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinau	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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文件：1.11315 Mbytes

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型号：BCP69-16；Package：SC-73；20 V, 2 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified

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BCP69/16

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型号：BCP69-16-Q；Package：SOT223；20 V, 2 A PNP medium power transistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinau

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