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AOD4T60L	文件：85.45 Kbytes Page：1 Pages	TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：85.45 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4T60P	文件：494.19 Kbytes Page：6 Pages	600V,4A N-Channel MOSFET 文件：494.19 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4T60P	文件：318.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：318.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOI4T60	文件：74.72 Kbytes Page：1 Pages	TO251A PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：74.72 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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更多AOD4T60L供应商更新时间2026-1-24 10:20:00