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AOD558	文件：1.53207 Mbytes Page：3 Pages	丝印：D558；Package：TO-252-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features * 30V50A Rosow 3.88mQ@Ves = 10V (Typ) «Advanced Trench Technology + Provide Excellent Rosco and Low Gate Charge « Lead free product is acquired 文件：1.53207 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AOD558	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-ch Fast Switching MOSFET	MTW 美台微	MTW
AOD558	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AOD558	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	Techpublic 台舟电子	Techpublic

技术参数

ID/A：
80
VDS/V：
30
RDS(on)/mΩ：
5.5
VGS/V：
20
VGS(th)/V：
1.0-2.5
N/P：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOD558供应商更新时间2026-4-19 8:12:00

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