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AOD600A70	文件：667.17 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger ,PD Adapter, TV, lighting. 文件：667.17 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD600A70	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 700V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD600A70R	文件：260.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 8.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 700V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-AC inverter, power switch 文件：260.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD600A70R	文件：533.58 Kbytes Page：6 Pages	700V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary aMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • Flyback for SMPS• Charger,PD Adapter,TV,lighting 文件：533.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD600A70R	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 700V, aMOS5™ N-Channel Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD600A70P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：HV MOSFETs (500V -1000V)	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
700
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
8.50
PD @ 25°C (W)：
104
10V：
600
Qg (10V)(nC)：
15.50
VGS(th) max (V)：
3.50
Ciss (pF)：
870
Coss (pF)：
23
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
4.30
tD(on) (ns)：
22
tD(off) (ns)：
36
Trr (ns)：
245
Qrr (nC)：
3000
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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