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AOD6B65MQ1E

650V, 6A AlphaIGBTTM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

General Description • Latest AlphaIGBT (αIGBT) technology• 650V breakdown voltage• IGBT copacked with very fast and soft antiparallel• diode• Very good EMI performance with lower turn-on• switching losses• High short-circuit ruggedness• High HBM class Applications • Motor drives• Home applian

文件:707.86 Kbytes 页数:8 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD6B65MQ1E

AlphaIGBT™

AlphaIGBT 提供业界领先的快速关断和低 VCE(SAT) 性能,从而实现更大的安全设计空间。可控的接通di/dt可有效降低EMI设计,适用于大多数家用电器、工业和汽车应用。\n\n• 更低的导通损耗\n• 更低的开关损耗\n• 更低的EMI性能\n• 更高的坚固性

AOS

美国万代

AOK033V120X2

AOS/万代
TO-247

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AOK042A60FD

AOS/万代
TO-247

AOS/万代

AOL1428

AO
SOP-8

AO

技术参数

  • Package:

    TO252

  • Configuration:

    IGBT with Anti-Parallel Diode

  • Qg (nC):

    13.50

  • Qrr (nC):

    130

  • VF (V):

    1.81

  • VCE max (V):

    650

  • VCE(SAT) typ (V):

    1.90

  • Ic max @ 25C (A):

    12

  • Ic max @ 100C (A):

    8

  • EON (mJ):

    0.11

  • EOFF (mJ):

    0.08

  • IRM (A):

    2.61

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOD6B65MQ1E供应商 更新时间2025-10-13 18:06:00