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40DP06NM	文件：890.35 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPD40DP06NM；Package：PG-TO252-3；MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V Features •P-Channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •100avalanchetested •NormalLevel •Enhancementmode •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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40DP06NM

文件：890.35 Kbytes

Page：10 Pages

型号：IPD40DP06NM；Package：PG-TO252-3；MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

Features •P-Channel •Verylowon-resistanceRDS(on) •100avalanchetested •NormalLevel •Enhancementmode •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多40DP06NM供应商更新时间2025-8-4 10:22:00

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