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40R025M2	文件：1.31424 Mbytes Page：15 Pages	型号：IMBG40R025M2H；Package：PG-TO263-7；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr •LowRDS(on)dependencyontemperature •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V •.XTinterconnectiontechn	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
40R025M2	文件：1.26278 Mbytes Page：15 Pages	型号：IMT40R025M2H；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr •LowRDS(on)dependencyontemperature •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V •.XTinterconnectiontechn	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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型号：IMBG40R025M2H；Package：PG-TO263-7；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr •LowRDS(on)dependencyontemperature •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V •.XTinterconnectiontechn

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型号：IMT40R025M2H；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET

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