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Marking：40R045M2；Package：PG-TO263-7；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr •LowRDS(on)dependencyontemperature •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V •.XTinterconnectiontechn | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：40R045M2；Package：PG-HSOF-8；CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification •CommutationrobustfastbodydiodewithlowQfr •LowRDS(on)dependencyontemperature •Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V •Recommendedgatedrivingvoltage0Vto18V •.XTinterconnectiontechn | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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