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IPD40DP06NM中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD40DP06NM

功能描述

MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

丝印标识

40DP06NM

封装外壳

PG-TO252-3

文件大小

890.35 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 19:10:00

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IPD40DP06NM规格书详情

特性 Features

• P-Channel

• Very low on-resistance RDS(on)

• 100 avalanche tested

• Normal Level

• Enhancement mode

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
21+20+
TO252
8030
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
INFINEON
23+
PG-TO252-3
50000
原装正品 支持实单
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Infineon/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
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Infineon
25+
PG-TO252-3
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
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Infineon/英飞凌
25+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
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Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原装,质量保证
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Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价
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INFINEON
24+
TO252-3
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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