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IPD33CN10NG中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

IPD33CN10NG
厂商型号

IPD33CN10NG

功能描述

N-channel, normal level

丝印标识

33CN10N

封装外壳

PG-TO252-3

文件大小

860 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-1 22:30:00

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IPD33CN10NG规格书详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

产品属性

  • 型号:

    IPD33CN10NG

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-252

  • 功能描述:

    N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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