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IPD30N03S4L-09中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD30N03S4L-09

功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件大小

168.66 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    IPD30N03S4L-09

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO252
5524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
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INFINEON/英飞凌
24+
NA/
6350
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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25+
TO252
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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INFINEON/英飞凌
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TO252
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原封装
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23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
INFINEON
23+
TO-252
20000
询价