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33CN10N	文件：860 Kbytes Page：12 Pages	型号：IPD33CN10NG；Package：PG-TO252-3；N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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33CN10N

文件：860 Kbytes

Page：12 Pages

型号：IPD33CN10NG；Package：PG-TO252-3；N-channel, normal level

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
33CN10N
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-252
功能描述：
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	IPD33CN10NG	INFINEON/英飞凌	20+	TO-252	33622	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
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更多33CN10N供应商更新时间2025-8-3 16:04:00

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