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STB33N60DM6

丝印:33N60DM6;Package:D2PAK;N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

Features • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Applications • Switching applications Description This high-voltage N-cha

文件:424.76 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更多33N60DM6供应商 更新时间2025-9-14 16:12:00