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STB33N60DM6	文件：424.76 Kbytes Page：14 Pages	Marking：33N60DM6；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Applications •Switchingapplications Description Thishigh-voltageN-cha	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STB33N60DM6

文件：424.76 Kbytes

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Marking：33N60DM6；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Applications •Switchingapplications Description Thishigh-voltageN-cha

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更多33N60DM6供应商更新时间2025-7-27 16:01:00

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