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RM33N100T2

丝印:33N100;Package:TO-220-3L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 100V,ID =33A Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation RDS(ON)

文件:172.8 Kbytes 页数:8 Pages

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更多33N100供应商 更新时间2025-9-14 14:01:00