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RM33N100T2

丝印:33N100;Package:TO-220-3L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 100V,ID =33A Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation RDS(ON)

文件:172.8 Kbytes 页数:8 Pages

RECTRON

丽正国际

RM33N100T2

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM412-086-192-9500-918

AIRBORN
N/A

RM412-220-192-9501-919

AIRBORN
coc

RM44L520APZTR

TI/德州仪器
原厂封装

TI/德州仪器

上传:深圳市腾胜芯科技有限公司

TI/德州仪器

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-220
986966
国产
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SOT89 23
60000
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亚成微
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RECTRON
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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RECTRON
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RECTRON
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Reactor-Micro(亚成微)
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更多RM33N100T2供应商 更新时间2025-10-7 14:01:00