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IPD30N06S3L-20中文资料英飞凌数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
IPD30N06S3L-20
- 功能描述:
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 20mOhms
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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infineon |
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TO-252 |
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INFINEON |
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NA |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
25+23+ |
New |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO |
8866 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
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VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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