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40N120FL3	文件：316.44 Kbytes Page：12 Pages	型号：NGTB40N120FL3WG；Package：TO-247；IGBT - Ultra Field Stop This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and sol 文件：316.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多40N120FL3供应商更新时间2025-8-7 14:00:00