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40N06	文件：1.20806 Mbytes Page：6 Pages	型号：40N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
40N06	文件：1.49171 Mbytes Page：6 Pages	型号：40N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralDescription The40N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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型号：40N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

40N06

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型号：40N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralDescription The40N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

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更多40N06供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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