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2SK3390	文件：78.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SK3390	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3390IXTB-E	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3391	文件：62.73 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=18dB,Pout=1.6W,ηadd=58min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3391JX	文件：62.73 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features •Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=18dB,Pout=1.6W,ηadd=58min.(f=836MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3396	文件：72.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon N-Channel Junction FET SiliconN-ChannelJunctionFET Forimpedanceconversioninlowfrequency Forinfraredsensor ■Features •Lowgate-sourcecutoffcurrentIGSS •Smallcapacitanceofshort-circuitforwardtransfercapacitance(commonsource)Ciss,short-circuitoutputcapacitance(commonsource)Coss,revers	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
2SK3397	文件：96.57 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) RelayDriveandDC-DCConverterApplications MotorDriveApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=110S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=1.5to3.0V(VDS=10V,	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3398	文件：217.72 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator and DC-DC Converter Applications SwitchingRegulatorandDC-DCConverterApplications MotorDriveApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.4Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=500V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3398	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3399	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3399	文件：497.76 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3391_07	文件：150.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3391JXTL-E	文件：150.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3397	文件：214.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Relay Drive and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3397	文件：210.05 Kbytes Page：6 Pages	Relay Drive and DC-DC Converter Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3397_06	文件：214.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Relay Drive and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3397_09	文件：210.05 Kbytes Page：6 Pages	Relay Drive and DC-DC Converter Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3398	文件：190.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3398_06	文件：190.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SK3399	文件：215.06 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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详细参数

型号：
2SK339
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK339供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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