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2SK3407	文件：230.98 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSV) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.48Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) •Enhancement-mode:Vth=2.4~3.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SK3407	文件：1.10616 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

2SK3407

文件：230.98 Kbytes

Page：6 Pages

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSV)

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.48Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) •Enhancement-mode:Vth=2.4~3.4V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SK3407

文件：192.32 Kbytes

Page：6 Pages

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SK3407

文件：1.10616 Mbytes

Page：10 Pages

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
2SK3407(F)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 450V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3407(F)供应商更新时间2024-4-29 14:31:00

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