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2SK3430-ZJ	文件：1.0226 Mbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDSS=40V ●ID=80A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3430-ZJ	文件：222.76 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430	文件：48.58 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=2800pFTYP. •Bu	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430	文件：45.36 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) ●LowCiss:Ciss=2800pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3430	文件：332.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3430	文件：1.32541 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
2SK3430	文件：222.76 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430-S	文件：222.76 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430-S	文件：326.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3430-S	文件：48.58 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=2800pFTYP. •Bu	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430-Z	文件：48.58 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=2800pFTYP. •Bu	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3430-Z	文件：232.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3430-Z	文件：222.76 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3430isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4V,ID=40A) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SK3430-ZJ
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

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更多2SK3430-ZJ供应商更新时间2024-4-28 14:30:00

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