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2SK3432-S	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP. •Bui	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432-S	文件：324.65 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP. •Bui	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432	文件：45.41 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) LowCiss:Ciss=9500pFTYP. Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3432	文件：324.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432-Z	文件：324.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432-Z	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=9500pFTYP. •Bui	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3432-ZJ	文件：324.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SK3432-S
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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