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2SK3433-ZJ	文件：213.51 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3433	文件：48.28 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •LowCiss:Ciss=1500pFTYP. •Built-in	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3433	文件：45.09 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=41mMAX.(VGS=4V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=1500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3433	文件：1.1019 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
2SK3433	文件：332.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3433	文件：213.51 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3433-S	文件：213.51 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3433-S	文件：326.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3433-S	文件：48.28 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •LowCiss:Ciss=1500pFTYP. •Built-in	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3433-Z	文件：400.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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2SK3433-Z	文件：213.51 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3433isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=26mΩMAX.(VGS=10V,ID=20A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=20A) •L	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
2SK3433-ZJ
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB

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更多2SK3433-ZJ供应商更新时间2024-4-28 14:00:00

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