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2SK3402	文件：132.2 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3402 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A) • Low Ciss : Ciss = 3200 pF TYP. • Built 文件：132.2 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3402	文件：238 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3402 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A) • Low Ci 文件：238 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3402	文件：46.47 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ● Low on-resistance RDS(on)1 =15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18A) ● Low Ciss : Ciss = 3200 pF TYP. ● Built-in gate protection diode 文件：46.47 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3402	文件：398.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3402	文件：1.38231 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.38231 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3402	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3402-Z	文件：132.2 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3402 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A) • Low Ciss : Ciss = 3200 pF TYP. • Built 文件：132.2 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3402-Z	文件：1.71266 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS S = 60V ● ID = 36 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.71266 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3402-Z	文件：238 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3402 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 18 A) • Low Ci 文件：238 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3402_15	文件：238.6 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：238.6 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
15
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
3200
Package Type：
MP-3/TO-251
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
40
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
60
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
36
QG (nC) typ.：
61
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
22

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