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2SK3419

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.3mΩtyp. •4Vgatedrivedevice •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3419

Power MOSFETs;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3419-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.3mΩtyp. •4Vgatedrivedevice •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3419_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SK3432

RENESAS
TO220

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

相关企业:深圳市正纳电子有限公司

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    60

  • ID (A):

    90

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    9

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    5.5

  • Ciss (pF) 典型值:

    9770

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    180

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更多2SK3419供应商 更新时间2025-7-30 19:10:00