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2SK3418	文件：116.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.3mΩtyp. •Capableof4Vgatedrive •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3418	文件：61.8 Kbytes Page：9 Pages	2SK3418 FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)=4.3mΩtyp. •Lowvoltagedrive(4Vdrive) •Theswitchingspeedisfast.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
2SK3418	文件：1.28929 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3418-E	文件：116.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.3mΩtyp. •Capableof4Vgatedrive •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3418_15	文件：136.79 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

更多2SK3418供应商更新时间2024-4-27 16:30:00