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2SK3418-E	文件：116.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4.3 mΩ typ. • Capable of 4 V gate drive • High speed switching 文件：116.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3418	文件：1.28929 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.28929 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3418	文件：61.8 Kbytes Page：9 Pages	2SK3418 FEATURES • Low on-resistance RDS (on) = 4.3mΩ typ. • Low voltage drive (4V drive) • The switching speed is fast. 文件：61.8 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3418	文件：116.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4.3 mΩ typ. • Capable of 4 V gate drive • High speed switching 文件：116.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SK3418-E供应商更新时间2026-3-14 11:12:00