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2SJ505L	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ505L	文件：288.49 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -50A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：288.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ505L-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505S	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505S	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ505STL-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ506L	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices. 文件：50.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506L	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET * Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices. 文件：89.21 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
95
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
1750
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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