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2SJ505L	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ505L-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ505S	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ505S	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ505STL-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.017Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.065Ωtyp.(atVGS=–10V,ID=–5A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevices.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506L	文件：50.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.065Ωtyp.(atVGS=–10V,ID=–5A) •Lowdrivecurrent •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevices.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ506L	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ506L-E	文件：89.21 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Lowon-resistance RDS(on)=0.065Ωtyp.(atV GS=–10V,ID=–5A) Lowdrivecurrent Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ50
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box Tray
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ50		24+	TO-3	10000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SJ50	HITACHI	24+	TO-3	100	原装现货假一罚十	询价
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深圳市粤科源兴科技有限公司	2SJ509	VISHAY	13+	TO-92-2	26018	原装分销	询价
深圳市联世界科技有限公司	2SJ508(TE12L,F)	TOSHIBA	24+/25+		1384	原装正品现货库存价优	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SJ503-TL	SANYO	2020+	TO-252	950	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多2SJ50供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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