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2SJ50	文件：192.12 Kbytes Page：3 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER SILICON P-CHANNEL MOSFET LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary Pair with 2SK133, 2SK134, 2SK135 文件：192.12 Kbytes 页数：3 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ501	文件：238.8 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. 文件：238.8 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ502	文件：170.07 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-Speed Switching Applications Features · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. 文件：170.07 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ503	文件：87.91 Kbytes Page：4 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. 文件：87.91 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SJ504	文件：51.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：51.32 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ504	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ504-E	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ505L	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
95
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
1750
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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