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2SJ504	文件：51.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：51.32 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ504	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ504	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ.\n• Low drive current.\n• 4V gate drive devices.\n• High speed switching.;	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ504	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ504-E	文件：89.37 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：89.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ504_15	文件：108.55 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：108.55 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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