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2SJ505STL-E	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505	文件：97.93 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：97.93 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ505	文件：54.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：54.54 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ505(L)_15	文件：117.47 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：117.47 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SJ505STL-E供应商更新时间2025-10-8 13:36:00