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2SJ505S

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

文件:54.54 Kbytes 页数:10 Pages

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ505S

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:97.93 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ505STL-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

文件:97.93 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ505S

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LDPAK(S)-(1)/TO-263

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -50

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    36

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    22

  • Ciss (pF) 典型值:

    4100

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    75

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
24+
TO-263
5000
全现原装公司现货
询价
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NEC
2022+
LDPAK(S)-(1)TO-263
12888
原厂代理 终端免费提供样品
询价
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
21750
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
RENESAS/瑞萨
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
询价
RENESAS
25+
TO-263
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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RENESAS/瑞萨
24+
TO-263
60000
全新原装现货
询价
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
询价
更多2SJ505S供应商 更新时间2025-11-29 10:20:00