P CHANNEL MOS TYPE (DC-DC CONVERTER)

DC−DC Converter FEATURES ● 4− Volt gate drive ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.25 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 3.0 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = −60 V) ● Enhancement−mode : Vth = −0.8~−2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)

文件：123.05 Kbytes 页数：2 Pages

TOSHIBA

东芝

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-pi-MOSIV) DC-DC Converter

Toshiba

东芝

TO263

RENESAS

瑞萨

上传：深圳市正纳电子有限公司

TO-220-3

ON

上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司

TO-22F

RENESAS

瑞萨

上传：深圳市华康联电子科技有限公司