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2SJ355	文件：268.62 Kbytes Page：8 Pages	丝印：PQ；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING The 2SJ355 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the a 文件：268.62 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ355	文件：985.93 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：985.93 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ355	文件：67.67 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING 文件：67.67 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ355	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
350
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
300
Package Type：
PoMM/SC-62
Vgs (off) (V) max.：
-2
Nch/Pch：
Pch
VGSS (V)：
-20/+10
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
2
Automotive：
YES
Application：
Low Voltage General Switching
VDSS (V) max.：
-30
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
-2
QG (nC) typ.：
12.2
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
600

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SJ355	NEC	2019+	SOT-89	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ355	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-89	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SJ355供应商更新时间2025-10-5 13:30:00

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