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2SJ530STL-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：988.35 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.35 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ530	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.08Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：57.57 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ530	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.08 Ω typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：94.88 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ530(L)_15	文件：114.53 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：114.53 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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