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2SJ200-Y	文件：297.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type HighPowerAmplifierApplication •Highbreakdownvoltage:VDSS=−180V •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.0S(typ.) •Complementaryto2SK1529	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ200	文件：313.92 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-180V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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详细参数

型号：
2SJ200-Y
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 180V 10A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

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更多2SJ200-Y供应商更新时间2025-5-28 15:10:00

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