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2SJ201-Y	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-PowerAmplifierApplication High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：182.18 Kbytes Page：3 Pages	PCHANNELMOSTYPE(HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SJ201	文件：448.62 Kbytes Page：5 Pages	High-PowerAmplifierApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ201-Y
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
High-Power Amplifier Application

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ201-Y供应商更新时间2025-5-6 15:00:00

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