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2SJ201-Y	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS= −200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 文件：269.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：182.18 Kbytes Page：3 Pages	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS= −200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 文件：182.18 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：275.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：275.09 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

更多2SJ201-Y供应商更新时间2025-10-7 15:01:00