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2SJ245L	文件：39.44 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET SILICON P-CHANNEL MOS FET Features • Low on–resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for Switching regulator, DC – DC converter Application High speed power switching 文件：39.44 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ245L	文件：976.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET 文件：976.54 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ245L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ245S	文件：989.26 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：989.26 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ245S	文件：39.44 Kbytes Page：7 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET SILICON P-CHANNEL MOS FET Features • Low on–resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for Switching regulator, DC – DC converter Application High speed power switching 文件：39.44 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

更多2SJ245L供应商更新时间2025-10-5 16:01:00