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2SJ248	文件：33.57 Kbytes Page：6 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter Application High speed power switching 文件：33.57 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ248	文件：82.01 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：82.01 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ248	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ248-E	文件：82.01 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source • Suitable for switching regulator, DC-DC converter 文件：82.01 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ248_15	文件：101.29 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：101.29 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SJ248供应商更新时间2025-10-9 17:06:00