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2SJ201	文件：182.18 Kbytes Page：3 Pages	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS= −200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 文件：182.18 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS= −200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 文件：269.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：448.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：448.62 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：275.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：275.09 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：300 bytes Page：1 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application	Toshiba 东芝	Toshiba
2SJ201-Y	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-Power Amplifier Application High breakdown voltage : VDSS= −200 V High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 文件：269.13 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201_07	文件：448.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：448.62 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ201_09	文件：275.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application 文件：275.09 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ201
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
200V 12A 150W Gds Toshiba Mosfet TO-267Var P-Ch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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