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2SJ201	文件：182.18 Kbytes Page：3 Pages	P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ201	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SJ201	文件：275.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SJ201-Y	文件：269.13 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application High-PowerAmplifierApplication Highbreakdownvoltage:VDSS=−200V Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.0S(typ.) Complementaryto2SK1530	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SJ201_09	文件：275.09 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Amplifier Application	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ201
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
200V 12A 150W Gds Toshiba Mosfet TO-267Var P-Ch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SJ201供应商更新时间2024-5-1 16:30:00

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