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2SJ210	文件：42.85 Kbytes Page：1 Pages	MOS Fied Effect Transistor Features ●DirectlydrivenbyIcshavinga5Vpoersupply. ●Notnecessarytoconsiderdrivingcurrentbecauseof itshighinputimpedance. ●Possibletoreducethenumberofpartsbyomittingthebiasresistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ210	文件：343.15 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFETFORSWITCHING The2SJ210,P-channelverticaltypeMOSFET,isaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlybytheoutputofICshavinga5Vpowersource. The2SJ210hasexcellentswitchingcharacteristicsandissuitableasahigh-speedswitchingdeviceindigitalcircuits.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ210	文件：998.18 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ210	文件：365.61 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ210C	文件：162.68 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SJ210C,P-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features ●Directlydrivenbya4.5Vpowersource. ●Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7MAX.(VGS=-10V,ID=-100mA)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ210C-T1B-A	文件：162.68 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SJ210C,P-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features ●Directlydrivenbya4.5Vpowersource. ●Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7MAX.(VGS=-10V,ID=-100mA)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ210C-T1B-AT	文件：162.68 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The2SJ210C,P-channelverticaltypeMOSFETdesignedforgeneral-purposeswitch,isadevicewhichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. Features ●Directlydrivenbya4.5Vpowersource. ●Lowon-stateresistance RDS(on)1=2.7MAX.(VGS=-10V,ID=-100mA)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ210-T1B-A	文件：980.29 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:3 •LowThreshold:-2V(typ.) •FastSwtichingSpeed:20ns(typ.) •LowInputCapacitance:20pF(typ.) •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ210_15	文件：998.18 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ210-3	文件：1.28878 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
2SJ210
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SJ210	RENESAS/瑞萨	2019+	SOT-23	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ210	RENESAS/瑞萨	2019+PB	MMSC-59	85000	原装正品可含税交易	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ210	RENESAS/瑞萨	2024	SOT-23	505348	16余年资质绝对原盒原盘代理渠道更多数量	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SJ210	NEC	24+	SOT-23	9100	新进库存/原装	询价
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更多2SJ210供应商更新时间2025-5-8 13:30:00

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