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2SJ200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SJ200	文件：426.58 Kbytes Page：5 Pages	HighPowerAmplifierApplication	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ200	文件：181.4 Kbytes Page：3 Pages	PCHANNELMOSTYPE(HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION) HighPowerAmplifierApplication •Highbreakdownvoltage:VDSS=−180V •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.0S(typ.) •Complementaryto2SK1529	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SJ200	文件：313.92 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-180V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SJ200-Y	文件：297.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType HighPowerAmplifierApplication •Highbreakdownvoltage:VDSS=−180V •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.0S(typ.) •Complementaryto2SK1529	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SJ200-Y(F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
Pch -180V -10A 0.83@10V TO3P(N) Bulk
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
功能描述：
MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N)

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