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2SD2241	文件：272.04 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High DC current gain : hFE=2000 (Min) • Low saturation voltage • Complement to type 2SB1481 • DARLINGTON APPLICATIONS • With switching applications 文件：272.04 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2242	文件：61.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • High-speed switching • Allowing supply with the radial taping 文件：61.23 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2242A	文件：61.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification ■ Features • High forward current transfer ratio hFE • High-speed switching • Allowing supply with the radial taping 文件：61.23 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2247	文件：31.07 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier 文件：31.07 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2247	文件：154.03 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier 文件：154.03 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2249	文件：40.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency power amplification ■Features •Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) •Satisfactory operation performances at high efficiency with the low voltage power supply. •Allowing supply with the radial taping 文件：40.49 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2250	文件：57.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SB1490 ■ Features ● Optimum for 80W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：57.24 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2250	文件：71.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) Silicon PNP epitaxial planar type darlington For power amplification Complementary to 2SD2250 ■ Features • Optimum for 80 W HiFi output • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 文件：71.09 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2250	文件：251.3 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min) • High DC Current Gain- : hFE= 5000( Min.) @(IC= 6A, VCE= 5V) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 6A, IB= 6mA) B • Complement to Type 2SB1490 APPLICATIONS • Designed for power amplification. 文件：251.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2251	文件：185.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PML package • High speed • High breakdown voltage • High reliability • Built-in damper diode APPLICATIONS • Color TV horizontal deflection output 文件：185.71 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD2217
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2109,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-45
vtest：
300
htest：
45000000
atest：
0.3
wtest：
25

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
300
VCEO (V)：
300
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
0.3
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1500
hFE max.：
30000
Pc (W)：
25
fT (MHz) typ.：
45
Cob (pF) typ.：
22
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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