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2SD2226K	文件：87.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：87.49 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2226K	文件：61.7 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) 文件：61.7 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2226K	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2227S	文件：61.7 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) 文件：61.7 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2227S	文件：87.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：87.49 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2228	文件：279.19 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER DESCRIPTION The 2SD2228 is designed for general-purpose applicatons requiring High DC Current and Low Collector Saturation Voltage. This is suitable for appliances including VCR cameras and headphone stereos. 文件：279.19 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD2228	文件：46.54 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● High dc current. ● Low collector saturation voltage. 文件：46.54 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2228	文件：500.67 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTOR NPN SILICON EPTAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER 文件：500.67 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2230	文件：35.42 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxia Features ● High hFE and high current. ● Low VCE(sat). 文件：35.42 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2230	文件：119.67 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS The 2SD2230 is an element realizing ultra low VCE(sat). This transistor is ideal for muting such as stereo recorders, VCRs, and TVs. FEATURES • Low VCE(sat): VCE(sat)1= 33 mV TYP. @IC= 100 mA, IB= 10 mA VCE(sat)2= 150 mV TYP. @IC= 500 mA, IB= 20 mA • High hFEand high current 文件：119.67 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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晶体管资料

型号：
2SD2217
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2109,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β>1500
图片代号：
B-45
vtest：
300
htest：
45000000
atest：
0.3
wtest：
25

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
300
VCEO (V)：
300
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
0.3
VCE(sat) (V) max.：
1.5
hFE min.：
1500
hFE max.：
30000
Pc (W)：
25
fT (MHz) typ.：
45
Cob (pF) typ.：
22
Package Type：
MP-45
Production Status：
EOL

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